带你们深度解读集成电路封测行业


时间: 2021-06-10

  集成电路封测是集成电路产品制造的后道工序,指将通过测试的晶圆按产品型号及功能需求加工得到独立集成电路的过程。

  (1)封装环节将集成电路与引线框架上的集成电路焊盘与引脚相连接以达到稳定驱动集成电路的目的,并使用塑封料保护集成电路免受外部环境的损伤;

  (2)广义的半导体测试工艺贯穿集成电路设计、制造、封测三大过程,是提高集成电路制造水平的关键工序之一。封测环节的测试工艺特指后道检测中的晶圆检测(CP)及成品检测(FT)。

  中国集成电路封测行业发展可分为五个阶段。当前,中国封装企业大多以第一、第二阶段的传统封装技术为主,例如DiP、SOP等,产品定位中低端。

  中国集成电路封测行业发展可分为五个阶段。当前,中国封装企业大多以第一、第二阶段的传统封装技术为主,例如DiP、SOP等,产品定位中低端。随着中国封测技术的创新步伐加快,QFN、BGA、WLP、SiP、TSV、3D等先进集成电路封装形式逐渐进入量产阶段。自第三阶段起的封装技术统称为先进封装技术。先进封装技术更迎合集成电路微小化、复杂化、集成化的发展趋势。

  中国集成电路封测上游主要参与者为晶圆制造厂商。中国晶圆制造厂商多为代工厂,实力强劲。下游新兴应用市场的增长为封测行业增长的主要驱动力。

  集成电路封测上游厂商包括晶圆制造厂商及封装材料厂商,下游应用市场可分为传统应用市场及新兴应用市场。集成电路封测产业运作模式为集成电路设计公司根据市场需求设计出集成电路版图,由于集成电路设计公司本身无芯片制造工厂和封装测试工厂,集成电路设计公司完成芯片设计,交给晶圆代工厂制造晶圆,晶圆完工后交付封测公司,由封测公司进行芯片封装测试,之后集成电路设计公司将集成电路产品销售给电子整机产品制造商,最后由电子整机产品制造商销售至下游终端市场。

  晶圆制造厂商以Foundary模式为主,全球前十大晶圆制造厂商仅有三星为IDM模式。封装材料的门槛相对晶圆材料门槛较低,中国已实现进口替代。

  封测为集成电路制造的后道工序,对加工好的晶圆进行封装,因此晶圆制造代工厂为封测行业上游的主要参与者。

  晶圆制造行业技术与资金壁垒高,行业集中度极高,全球前十大晶圆制造企业合计营收在全球晶圆制造市场规模的占比在90%左右,龙头企业包括台积电、格罗方德、三星以及中芯国际等,其中仅有三星为IDM模式,拥有自身的封测产线,台积电的业务也开始向封测领域渗透。

  其他巨头晶圆制造企业如中芯国际不具备先进封测技术,需与专业的封测企业合作,完成最后的封测工艺。

  除晶圆制造企业,封测行业上游参与者还包括半导体封装材料供应商。封装材料包括芯片粘结材料、封装基板、引线框架、陶瓷基板、键合线及包封材料等,其中封装基板市场规模最大。2018年,芯片粘结材料、封装基板、引线框架、陶瓷基板、键合线及包封材料市场规模在中国集成电路封装材料市场规模的占比分别为3.9%、38.2%、15.8%、11.3%、13.9%及15.0%。封装材料的门槛相对晶圆材料门槛较低,中国已实现进口替代。

  传统应用市场增长放缓,对集成电路产品需求减弱。新兴应用市场增长迅速,成为驱动集成电路产业增长的主要动力。

  封装测试企业为芯片设计企业提供封测服务,芯片设计厂商将封测后的芯片成本销售至下游终端市场。封装测试行业的下游传统终端应用市场包括消费电子、家用电器、信息通讯、电力设备等行业。

  2018年,传统应用市场消耗的封测产品在封测行业市场规模的占比在58%左右,且以传统封测产品为主。中国消费电子及家用电器市场已进入下行周期。

  以智能手机为例,中国智能手机出货量自2017年起呈现负增长。中国智能手机市场收缩,导致手机设备厂商对芯片需求减弱,拖累中国封测市场增长。

  随着5G基站的加速建设及5G通信技术的普及,中国物联网、人工智能、超高清市场等新兴市场加速发展。

  以物联网为例,5G技术可实现100万个设备/km2连接密度,相比4G技术提升10倍,为物联网发展提供核心技术支撑。中国物联网设备连接量从2014年的5.2亿个增长至2018年的26.0亿个,年复合增长率达49.5%。

  随着5G技术的推广,物联网设备数量将维持高速增长,成为芯片产业增长的主要动力。新兴行业增长迅速,对集成电路产品需求强劲。

  2018年,中国封测行业在新兴应用领域的市场规模在封测行业总市场规模的占比在42%左右,有超过封测市场在传统应用领域市场规模的趋势。

  封测行业为典型的劳动密集型行业,技术壁垒相对较低,市场竞争加剧,行业红利逐渐消散,中国集成电路封测行业的增速放缓。

  受益于人工智能及物联网等新兴行业迅速发展及国产替代效应加剧,下游企业对集成电路的需求强劲。根据中国半导体协会统计,2019年前三季度集成电路累计销售额高达5,049.9亿元,同比增长15.3%。

  中国集成电路封装测试行业销售额从2015年的1,384.0亿元增长至2019年的2,314.6亿元,年复合增长率为12.0%。

  封测行业为典型的劳动密集型行业,技术壁垒相对较低,市场新入者增加,行业竞争加剧,导致中国集成电路封测行业的增速放缓。

  2019年中国集成电路封测产品销售额同比增长率较去年同期下降15.2个百分点,下滑至5.5%。

  2019年至2024年为中国5G基站建设的加速期,为集成电路产业新的需求增长点。中国集成电路封测行业仍可享受5G时代的红利,预计集成电路封测行业市场规模增速较2019年有所改善,维持在7%左右。

  封装测试业是集成电路产业的重要组成部分,集成电路产业是电子信息产业的核心,为中国战略性新兴产业。

  中国高度重视和大力支持集成电路产业的发展,先后出台了一系列促进行业发展的政策。

  2014年6月,中国国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》,提出要提升先进封装测试行业的发展水平,推动中国封装测试行业的兼并与重组,开展芯片级封装(CSP)、三维封装、晶圆级封装(WLP)、硅通孔(TSV)等高级封装测试产品的研发与量产。

  2015年5月,国务院颁布《中国制造2025》,提出要提升集成电路设计水平,掌握高密度封装以及三位封装技术,提升封装测试行业的发展能力与供货能力。

  2018年1月,中国财政部、中国税务总局、国家发展改革委、中国工业和信息化部联合颁布《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知》,提出对满足要求的集成电路相关企业实施税率减免等政策,加大对行业的支持。

  传统封测由于技术壁垒低、同业竞争激烈,利润空间极小,未来中国封测行业将向产品附加值更高的高级封测升级。

  2018年中国先进封装营收约为526亿元人民币,占中国集成电路封测总营收的25%,远低于全球41%的比例。

  2018年中国封测四强(长电、通富、华天、晶方)的先进封装产值约110.5亿元,约占中国先进封装总产值的21%,其余中国大陆封测企业及在大陆设有先进封装产线的外资企业、台资企业的先进封装产值约占79%。

  中国本土先进封测四强通过自主研发和兼并收购,快速积累先进封装技术,但中国整体先进封装技术水平与国际领先水平仍有差距。

  传统封测由于技术壁垒低、同业竞争激烈,利润空间极小,未来中国封测行业应向产品附加值更高的高级封测升级,资本支出将取代人力成本作为新的行业推动力。

  5G时代的到来将推动AI、物联网、智能汽车等新兴应用市场,这些新兴应用对电子硬件提出更高的要求:高性能、高集成、高速度、低功耗、低成本。先进封装技术是解决各种性能需求和复杂结构集成需求的最佳选择。

  在消费类电子产品轻、小、短、薄化的市场发展趋势下,晶圆级芯片尺寸封装的成本优势愈加明显,将逐步挤占传统封装的市场份额。

  以WLCSP(晶圆级芯片尺寸封装技术)为例,传统封装将晶圆先切割成芯片,再对芯片实施单独的封装,而WLCSP封装先对晶圆进行封装、测试作业,然后将封装测试后的晶圆进行切割。

  WLCSP封装后的芯片尺寸与裸芯片大小一致,大幅缩小芯片封装后的尺寸,WLCSP封装的产品比传统QFP产品小75%、重量轻85%。此外,WLCSP封装技术大幅减小封装成本。

  WLCSP的封装成本按照晶圆数计量,切割后的芯片数不会增加封装成本,而传统封装的封装成本是按封装芯片的个数计量,因此,WLCSP的封装成本随晶圆尺寸的增大和芯片数量增加而降低。

  在消费类电子产品轻、小、短、薄化的市场发展趋势下,晶圆级芯片尺寸封装的成本优势愈加明显,将逐步挤占传统封装的市场份额。

  随着先进封装技术的演变,晶圆制造、封测及模组企业的业务相互渗透,存在一定的竞争关系。未来中国封测企业或考虑整合晶圆制造及模组企业。

  晶圆制造厂商进军封测行业晶圆级芯片封装(WLCSP)及系统级芯片封装(SiP)为先进封装技术两大主流发展方向,其中晶圆级芯片封装制程需用到晶圆制造所用技术与设备例如刻蚀、沉积等技术与设备,意味着晶圆制造行业与封测行业业务分界模糊,可相互渗透和拓展。

  晶圆级芯片封装技术可将晶圆制造、封装测试、模组厂整合为一体,优化集成电路产业链,使得芯片生产周期缩短,进而提高生产效率,降低生产成本。例如,全球晶圆制造龙头企业台积电将业务扩张至封测领域,推出InFo集成扇出型晶圆封装技术和CoWoS晶圆基底芯片封装技术。

  台积电借助将制造工艺与封测工艺结合一体的优势成功获得苹果公司的订单。台积电当前正在研发系统整合芯片封装技术及晶圆3D堆叠封装技术,预计在2021年可实现量产。

  在系统级封装领域,封测企业的业务与模组企业的业务有一定的重合。随着消费电子领域集成电路产品集成度的提升、体积的缩小,部分模组、系统的组装的精度要求逼近微米级别,与封测环节的工艺产生重叠。

  欧菲光(O-film)通过收购索尼华南,顺利切入和拥有FC封装技术。欧菲光是目前中国唯一拥有FC封装技术的模组供应商。随着先进封装技术的演变,晶圆制造、封测及模组企业的业务相互渗透,存在一定的竞争关系。未来中国封测企业或考虑整合晶圆制造及模组企业,消除同业竞争并增加协同效应。

  中国封测企业通过海外并购快速积累先进封装技术,先进封装技术已与海外厂商同步,但先进封装产品的营收在总营收的占比与中国台湾及美国封测巨头企业存在一定差距。

  全球集成电路封测行业竞争格局清晰,按2019年前三季度营收及市占率排名,全球封测厂商可分为三大梯队:

  (1)第一梯队的企业包括日月光、安靠、长电科技、矽品及力成。第一梯队封测厂商营收规模均超过500万美元,但营收增长率保持在低位,部分头部封测企业营收呈现负增长;

  (2)第二梯队企业包括力成、通富微电、华天科技及京元电子。第二梯队企业营收规模在200万-500万美元之间,市占率小于第一梯队的企业,但第二梯队企业营收增速均保持在2位数增长,显示第二梯队企业仍在高速发展期,有望进入第一梯队的行列;

  (3)第三梯队企业包括联测及硕邦,营收规模在100-200万美元之前,营收增速缓慢,不及第二梯队的企业。

  从技术层面分析,中国封测企业业务主要以传统封装为主。中国封测企业通过海外并购快速积累先进封装技术,先进封装技术已与海外厂商同步,BGA、TVS、WLCSP、SiP等先进封装技术已实现量产,但先进封装产品的营收在总营收的占比仍与中国台湾及美国封测巨头企业存在一定差距。

  此外大陆封装企业在高密度集成电路封装技术上与国际领先厂商差距明显,如台积电提出的SoC多芯片3D堆叠技术,其采用了无凸起键合结构,可更大幅度提升CPUGPU存储器整体运算速度。英特尔也提出类似的3D封装概念,将存储器堆叠至CPU及GPU芯片上。在3D 堆叠封装技术领域,中国大陆封测企业有待加强。

  中国上市封测企业中重点推荐晶方科技,新三板企业中重点推荐利扬芯片,非上市非挂牌企业中重点推荐气派科技,同时建议关注华天科技及芯哲科技等企业。

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  02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...

  595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...

  373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0]

  输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

 
 
 

               
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